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AP1203AGMT-HF

更新时间： 2024-01-31 15:13:58

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
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5页	159K
描述
Simple Drive Requirement, RoHS Compliant

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技术参数
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AP1203AGMT-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP6,.11,37	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	可调阈值：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	端子数量：	6
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP6,.11,37	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	5/36 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Power Management Circuits
最大供电电流 (Isup)：	2.5 mA	表面贴装：	YES
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.95 mm	端子位置：	DUAL
阈值电压标称：	+5V	Base Number Matches：	1

AP1203AGMT-HF 数据手册

AP1203AGMT-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

12mΩ

37A

▼ SO-8 Compatible with Heatsink

▼ Low On-resistance

▼ RoHS Compliant

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

□

The PMPAK 5x6 package is special for DC-DC converters application

and the foot print is compatible with SO-8 with backside heat sink and

lower profile.

PMPAK 5x6

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_C=25℃

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current (Chip)

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

15.8

12.6

150

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

E_AS

Total Power Dissipation

27.8

℃

Total Power Dissipation

Single Pulse Avalanche Energy⁴

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

16.2

T_STG

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

4.5

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

200812241

12 3 4 5

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与AP1203AGMT-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP1203GMA	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP1203GMT	A-POWER	获取价格	AP1203GMT
AP120-89	ETC	获取价格	RF Amplifier
AP12-1	ETC	获取价格	Analog IC
AP1212	DIODES	获取价格	DUAL USB HIGH-SIDE POWER SWITCH
AP1212	ANACHIP	获取价格	Dual USB High-Side Power Switch
AP-121215%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core
AP1212HN	ANACHIP	获取价格	Dual USB High-Side Power Switch
AP1212HN	DIODES	获取价格	Power Management Circuit, PDIP8,
AP1212HNA	ANACHIP	获取价格	Dual USB High-Side Power Switch