AP10N70S

更新时间： 2024-09-15 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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5页	178K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP10N70S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP10N70S 数据手册

AP10N70S

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ 100% Avalanche Test

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

600V

0.6Ω

10A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Simple Drive Requirement

Description

AP10N70S is specially designed as main switching devices for universal

90~265VAC off-line AC/DC converter applications. TO-263 type provide high

blocking voltage to overcome voltage surge and sag in the toughest power

system with the best combination of fast switching,ruggedized design and

cost-effectiveness.

TO-263(S)

The TO-263 package is widely preferred for commercial-industrial applications.

The device is suited for switch mode power supplies ,DC-AC converters and

high current high speed switching circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

600

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 30

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

6.3

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

174

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy²

1.39

W/℃

E_AS

I_AR

Avalanche Current

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

0.72

℃/W

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

201022072-1/4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP10N70W	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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AP10N8R8I	A-POWER	获取价格	TO-220CFM
AP10NA011H	A-POWER	获取价格	TO-252
AP10NA011J	A-POWER	获取价格	TO-251
AP10NA011LH	A-POWER	获取价格	TO-252
AP10NA011LJV	A-POWER	获取价格	TO-251VS
AP10NA011MT	A-POWER	获取价格	PMPAK-5x6
AP10NA014MT	A-POWER	获取价格	PMPAK-5X6
AP10NA014YT	A-POWER	获取价格	PMPAK-3x3