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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP10N70I-A | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP10N70I-A-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP10N70P | A-POWER |
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TRANSISTOR 10 A, 600 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, T |
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| AP10N70P_07 | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP10N70P-A | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP10N70R | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP10N70R-A | A-POWER |
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TRANSISTOR 10 A, 650 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, T |
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| AP10N70S | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP10N70W | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP10N7R5H | A-POWER |
获取价格 |
TO-252 |
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