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AP1000C-11

更新时间： 2024-11-18 03:19:07

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ASI		二极管
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描述
SILICON PIN DIODE

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AP1000C-11 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.77	应用：	LIMITER; SWITCHING
最小击穿电压：	100 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.15 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	1.5 Ω
二极管电阻测试电流：	10 mA	二极管电阻测试频率：	500 MHz
二极管类型：	PIN DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
少数载流子标称寿命：	0.1 µs	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	NO
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

AP1000C-11 数据手册

AP1000C-11

SILICON PIN DIODE

DESCRIPTION:

The AP1000C-11 is a Passivated

PACKAGE STYLE 01

Epitaxial Silicon PIN Diode Housed in

a Hermetically Sealed Glass Package.

This Device Iis Designed to Cover a

Wide Range of Control Applications

Such as RF Switching, Phase Shifting,

Modulation, Duplexing Limiting and

Pulse Forming.

MAXIMUM RATINGS

100 mA

100 V

250 mW @ T_A= 25 ^OC

-65 ^OC to +175 ^OC

30 ^OC/W

P_DISS

T_J

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^O

NONE

SYMBOL

V_B

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

100

V_R= 50 V

V_R= 40 V

f = 1.0 MHz

0.15

C_J

C_P

f = 1.0 MHz

0.10

1.0

1.5

100

L_S

R_S

I_F= 10 mA

I_F= 20 mA

f = 500 MHz

Ohms

T_L

I_R= 6.0 mA

I_R= 100 mA @ 90%

T_rr

I-REGION

µM

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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