AP1000B-00

更新时间： 2024-11-18 02:50:43

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ASI		PIN二极管开关测试限制器
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SILICON PIN DIODE CHIP

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AP1000B-00 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	S-XUUC-N1
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
应用：	LIMITER; SWITCHING	最小击穿电压：	100 V
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.1 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	2 Ω
二极管电阻测试电流：	20 mA	二极管电阻测试频率：	100 MHz
二极管类型：	PIN DIODE	频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	S-XUUC-N1	少数载流子标称寿命：	0.1 µs
元件数量：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	PIN Diodes
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

AP1000B-00 数据手册

AP1000B-00

SILICON PIN DIODE CHIP

DESCRIPTION:

The AP1000B-00 is a Planar Silicon

PIN Diode Chip Designed for High

Speed Switch and Limiter Applications

Up to 18 GHz.

FEATURES INCLUDE:

• Low Capacitance - 0.10 pF Typical

• Fast Switching - 10 nS Typical

• SiO₂Passivation

PACKAGE STYLE CHP152

MAXIMUM RATINGS

100 mA

I_F

V_R

0.002” ±0.001”

100 V

0.5 W @ T_A= 25 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

50 ^OC/W

P_DISS

T_J

0.015”±0.002” SQ.

T_STG

θ_JC

Anode = Pad

Cathode = Bottom Side

CHARACTERISTICS ^T_A^{= 25}^O

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

100

C_J

V_R= 10 V

f = 1.0 MHz

f = 100 MHz

0.10

2.0

R_S

T_L

t_rr

I_F= 20 mA

I_F= 10 mA

I_F= 20 mA

1.0

Ohms

I_R= 6.0 mA

V_R= 10 V

100

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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