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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 8 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP04N60I-HF | A-POWER |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP04N60J | A-POWER |
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TO-251 |
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| AP04N60J-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP04N60R-A-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP04N60S-H-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP04N70BF-A | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP04N70BF-H | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP04N70BI | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP04N70BI_09 | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP04N70BI-A | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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