AP03N70H-A-HF

更新时间： 2024-01-02 16:58:32

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP03N70H-A-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	700 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	4.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP03N70H-A-HF 数据手册

AP03N70H/J-A-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ 100% Avalanche Test

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

650V

3.6Ω

3.3A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Simple Drive Requirement

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial

surface mount applications and suited for AC/DC converters. The

through-hole version (AP03N70J) is available for low-profile

applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

650

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+30

I_D@T_C=25℃

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

3.3

I_D@T_C=100℃

2.1

I_DM

13.2

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

54.3

℃

E_AS

T_STG

T_J

Single Pulse Avalanche Energy²

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

3.1

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)⁴

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

2.3

62.5

110

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

200907021

12 3 4

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