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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 18 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP02N90I | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP02N90I-HF | A-POWER |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP02N90J | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP02N90J-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP02N90P | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP02N90P-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP0300A-00 | ASI |
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1SILICON PIN DIODE CHIP |
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| AP0300A01 | ASI |
获取价格 |
Pin Diode, 30V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| AP0300A15 | ASI |
获取价格 |
Pin Diode, 30V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| AP0300A51 | ASI |
获取价格 |
Pin Diode, 30V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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