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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP02N90H
AP02N90H PDF预览

AP02N90H

更新时间： 2024-09-24 08:31:07
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER /
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP02N90H 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：7.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP02N90H 数据手册

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AP02N90H/J  
Pb Free Plating Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
900V  
7.2Ω  
1.9A  
D
S
▼Low On-resistance  
▼Fast Switching Characteristics  
G
Description  
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
S
TO-252(H)  
TO-251(J)  
The TO-252 package is universally preferred for all commercial-  
industrial applications at power dissipation levels to approximately 50  
watts. The through-hole version (AP02N90J) is available for low-  
profile applications.  
G
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
900  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±30  
V
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
1.9  
A
1.2  
A
6
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
62.5  
0.5  
W
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energy2  
W/℃  
mJ  
A
EAS  
IAR  
36  
Avalanche Current  
1.9  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
℃
℃
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance Junction-case  
Thermal Resistance Junction-ambient  
Value  
2.0  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Max.  
Max.  
Rthj-a  
110  
Data & specifications subject to change without notice  
200418063-1/4  
1234

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