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AP02N70EI-HF

更新时间： 2024-09-24 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	56K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP02N70EI-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	13 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	700 V
最大漏极电流 (ID)：	1.6 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.4 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP02N70EI-HF 数据手册

AP02N70EI-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ 100% Avalanche Test

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

700V

7Ω

▼ ESD Improved Capability

▼ Simple Drive Requirement

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

1.6A

Description

AP02N70 from APEC provide the designer with the best

combination of fast switching , low on-resistance and cost-

effectiveness .

TO-220CFM(I)

The TO-220CFM isolation package is widely preferred for

commercial-industrial through hole applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

700

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_C=25℃

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

1.6

I_D@T_C=100℃

I_DM

6.4

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Single Pulse Avalanche Energy²

27.8

E_AS

I_AR

Avalanche Current

1.6

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

4.5

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

201301041

12 3 4

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