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AOTF20S60L

更新时间： 2024-09-17 20:09:43
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 518K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

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AOTF20S60L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.53雪崩能效等级（Eas）：188 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.199 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AOTF20S60L 数据手册

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AOT20S60L/AOB20S60L/AOTF20S60L/AOTF20S60  
600V 20A  
α
MOS TM Power Transistor  
General Description  
Product Summary  
VDS @ Tj,max  
IDM  
RDS(ON),max  
Qg,typ  
700V  
80A  
The AOT20S60L & AOB20S60L & AOTF20S60L &  
AOTF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM  
high voltage process that is designed to deliver high levels of  
performance and robustness in switching applications.  
By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed  
avalanche capability these parts can be adopted quickly into  
new and existing offline power supply designs.  
0.199Ω  
20nC  
4.9µJ  
Eoss @ 400V  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
Top View  
TO-220F(3kVAC; 1s)  
TO-263  
D2PAK  
TO-220  
D
D
D
G
S
S
D
S
D
S
G
G
G
AOT20S60L  
AOTF20S60(L)  
AOB20S60L  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
AOT20S60L/AOB20S60L  
AOTF20S60  
600  
AOTF20S60L  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VGS  
±30  
TC=25°C  
20  
14  
20*  
14*  
20*  
14*  
Continuous Drain  
Current  
ID  
TC=100°C  
A
Pulsed Drain Current C  
Avalanche Current C  
IDM  
IAR  
80  
3.4  
23  
A
Repetitive avalanche energy C  
Single pulsed avalanche energy G  
TC=25°C  
EAR  
EAS  
mJ  
mJ  
W
188  
266  
2.1  
50  
37.8  
0.3  
PD  
Power Dissipation B  
Derate above 25oC  
0.4  
W/ o  
C
100  
20  
MOSFET dv/dt ruggedness  
dv/dt  
V/ns  
°C  
Peak diode recovery dv/dt H  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Maximum lead temperature for soldering  
purpose, 1/8" from case for 5 seconds J  
Thermal Characteristics  
TL  
300  
°C  
Parameter  
Symbol  
AOT20S60L/AOB20S60L  
AOTF20S60  
AOTF20S60L  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A,D  
Maximum Case-to-sink A  
RθJA  
65  
0.5  
65  
--  
65  
--  
RθCS  
RθJC  
Maximum Junction-to-Case  
0.47  
2.5  
3.3  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
ev 6.0: Sepetember 2017  
www.aosmd.com  
Page 1 of 7  
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AOTF20S60L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STP24NM65N STMICROELECTRONICS

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STI23NM60N STMICROELECTRONICS

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