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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.399 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AOTF11S60L | AOS |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| AOTF11S65 | AOS |
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650V 11A a MOS Power Transistor |
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| AOTF12N30 | AOS |
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300V,11.5A N-Channel MOSFET |
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| AOTF12N50 | AOS |
获取价格 |
500V, 12A N-Channel MOSFET |
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| AOTF12N60 | AOS |
获取价格 |
600V, 12A N-Channel MOSFET |
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| AOTF12N60FD | AOS |
获取价格 |
600V, 12A N-Channel MOSFET |
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| AOTF12N60L | AOS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| AOTF12N65 | AOS |
获取价格 |
650V, 12A N-Channel MOSFET |
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| AOTF12T50P | AOS |
获取价格 |
TO220F PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
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| AOTF12T60 | AOS |
获取价格 |
RoHS and Halogen Free Compliant |
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