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AOTF10N65L PDF预览

AOTF10N65L

更新时间： 2024-09-17 19:33:07
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS /
页数 文件大小 规格书
6页 203K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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AOTF10N65L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
Base Number Matches：1

AOTF10N65L 数据手册

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AOT10N65/AOTF10N65  
650V,10A N-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
ꢀꢀꢀVDS  
750V@150℃  
10A  
TheꢀꢀAOT10N65ꢀ&ꢀAOTF10N65ꢀhaveꢀbeenꢀfabricated  
usingꢀanꢀadvancedꢀhighꢀvoltageꢀMOSFETꢀprocessꢀthatꢀis  
designedꢀtoꢀdeliverꢀhighꢀlevelsꢀofꢀperformanceꢀand  
robustnessꢀinꢀpopularꢀACꢁDCꢀapplications.  
ByꢀprovidingꢀlowꢀRDS(on),ꢀCissꢀandꢀCrssꢀalongꢀwith  
guaranteedꢀavalancheꢀcapabilityꢀtheseꢀpartsꢀcanꢀbe  
adoptedꢀquicklyꢀintoꢀnewꢀandꢀexistingꢀofflineꢀpowerꢀsupply  
designs.  
ꢀꢀꢀIDꢀꢀ(atꢀVGS=10V)  
ꢀꢀꢀRDS(ON)ꢀ(atꢀVGS=10V)  
<ꢀ1Ω  
100%ꢀUISꢀTested  
100%ꢀꢀRgꢀTested  
ꢀꢀꢀForꢀHalogenꢀFreeꢀaddꢀ"L"ꢀsuffixꢀtoꢀpartꢀnumber:ꢀ  
ꢀꢀꢀAOT10N65Lꢀ&ꢀAOTF10N65L  
TopꢀView  
TO-220F  
TO-220  
D
G
G
G
D
D
S
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
AOT10N65  
AOTF10N65  
Units  
DrainꢁSourceꢀVoltage  
GateꢁSourceꢀVoltage  
650  
±30  
V
V
VGS  
TC=25°C  
10  
10*  
ContinuousꢀDrain  
Current  
ID  
TC=100°C  
6.2  
6.2*  
A
PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀC  
IDM  
36  
3.4  
173  
347  
5
AvalancheꢀCurrentꢀC  
IAR  
A
RepetitiveꢀavalancheꢀenergyꢀC  
EAR  
EAS  
dv/dt  
mJ  
SingleꢀpulsedꢀavalancheꢀenergyꢀG  
Peakꢀdiodeꢀrecoveryꢀdv/dt  
TC=25°C  
mJ  
V/ns  
W
W/ꢀoC  
250  
2
50  
PD  
PowerꢀDissipationꢀB  
Derateꢀaboveꢀ25oC  
0.4  
JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRange  
Maximumꢀleadꢀtemperatureꢀforꢀsoldering  
purpose,ꢀ1/8"ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ5ꢀseconds  
Thermal Characteristics  
TJ,ꢀTSTG  
TL  
ꢁ55ꢀtoꢀ150  
300  
°C  
°C  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
AOT10N65  
AOTF10N65  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀA,D  
65  
0.5  
0.5  
65  
ꢁꢁ  
MaximumꢀCaseꢁtoꢁsinkꢀA  
RθCS  
MaximumꢀJunctionꢁtoꢁCase  
RθJC  
2.5  
*ꢀDrainꢀcurrentꢀlimitedꢀbyꢀmaximumꢀjunctionꢀtemperature.  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀRev3:Marchꢀ2011ꢀ  
www.aosmd.com  
Pageꢀ1ꢀofꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
123456

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与AOTF10N65L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AOTF10N90 AOS

获取价格

 		900V, 10A N-Channel MOSFET
AOTF10T60 AOS

获取价格

 		Plastic Encapsulated Device
AOTF10T60P AOS

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 		RoHS and Halogen Free Compliant
AOTF10T60PL AOS

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 		RoHS and Halogen Free Compliant
AOTF11C60 AOS

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AOTF11C60L AOS

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
AOTF11C60P AOS

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 		High Current Capability
AOTF11C60PL AOS

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 		High Current Capability
AOTF11N60 AOS

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 		600V,11A N-Channel MOSFET
AOTF11N60L AOS

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 		Transistor

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