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AOT66920L

更新时间： 2024-09-30 21:14:31

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美国万代 - AOS		/
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6页	503K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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AOT66920L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

AOT66920L 数据手册

AOT66920L/AOB66920L

100V N-Channel AlphaSGT ^TM

General Description

Product Summary

• Trench Power AlphaSGT^TMtechnology

• Low R_DS(ON)

V_DS

100V

80A

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

• Logic Level Driving

• Excellent Q_Gx R_DS(ON)Product (FOM)

< 8mΩ

< 10.5mΩ

• Skipe Optimized Process

• RoHS and Halogen-Free Compliant

Applications

100% UIS Tested

100% Rg Tested

• High Frequency Switching and Synchronous

Rectification

TO-263

TO220

D²PAK

Bottom View

Top View

Bottom View

AOT66920L

AOB66920L

Orderable Part Number

AOT66920L

Package Type

TO-220

Form

Tube

Minimum Order Quantity

1000

AOB66920L

TO-263

Tape & Reel

800

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

±20

V_GS

T_C=25°C

Continuous Drain

Current

Pulsed Drain Current ^C

I_D

T_C=100°C

I_DM

180

22.5

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

Avalanche Current ^C

I_DSM

I_AS

Avalanche energy

L=0.1mH

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=70°C

E_AS

100

P_D

Power Dissipation ^B

Power Dissipation ^A

8.3

P_DSM

5.3

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_qJA

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

R_qJC

1.0

1.25

Rev.1.0: December 2018

www.aosmd.com

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