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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AOT20S60L
AOT20S60L PDF预览

AOT20S60L

更新时间： 2024-01-08 15:03:28
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 330K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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AOT20S60L 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：2.27Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：188 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.199 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：266 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AOT20S60L 数据手册

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AOT20S60/AOB20S60/AOTF20S60  
600V 20A  
α
MOS TM Power Transistor  
General Description  
Product Summary  
VDS @ Tj,max  
IDM  
RDS(ON),max  
Qg,typ  
700V  
80A  
The AOT20S60& AOB20S60 & AOTF20S60 have been  
fabricated using the advanced αMOSTM high voltage  
process that is designed to deliver high levels of  
performance and robustness in switching applications.  
By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with  
guaranteed avalanche capability these parts can be  
adopted quickly into new and existing offline power supply  
designs.  
0.199Ω  
20nC  
4.9µJ  
Eoss @ 400V  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
For Halogen Free add "L" suffix to part number:  
AOT20S60L & AOB20S60L & AOTF20S60L  
Top View  
TO-220F(3kVAC; 1s)  
TO-263  
D2PAK  
TO-220  
D
D
G
S
S
D
S
D
G
S
G
G
AOT20S60  
AOTF20S60  
AOB20S60  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
AOT20S60/AOB20S60  
AOTF20S60  
AOTF20S60L  
Units  
Drain-Source Voltage  
VDS  
600  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
±30  
20*  
14*  
80  
V
A
TC=25°C  
20  
14  
20*  
14*  
Continuous Drain  
Current  
Pulsed Drain Current C  
Avalanche Current C  
ID  
TC=100°C  
IDM  
IAR  
3.4  
23  
A
mJ  
Repetitive avalanche energy C  
Single pulsed avalanche energy G  
TC=25°C  
EAR  
EAS  
188  
50  
mJ  
266  
2.1  
37.8  
0.3  
W
W/ oC  
PD  
Power Dissipation B  
Derate above 25oC  
0.4  
100  
20  
MOSFET dv/dt ruggedness  
Peak diode recovery dv/dt H  
dv/dt  
V/ns  
°C  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Maximum lead temperature for soldering  
purpose, 1/8" from case for 5 seconds J  
Thermal Characteristics  
TL  
300  
°C  
Parameter  
Symbol  
AOT20S60/AOB20S60  
AOTF20S60  
AOTF20S60L  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient A,D  
RθJA  
65  
65  
65  
°C/W  
Maximum Case-to-sink A  
RθCS  
RθJC  
0.5  
--  
--  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case  
0.47  
2.5  
3.3  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Rev 5: Sep 2012  
www.aosmd.com  
Page 1 of 7  
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AOT20S60L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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