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AOT10N65

更新时间： 2024-02-24 21:15:26

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描述
650V,10A N-Channel MOSFET

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AOT10N65 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

AOT10N65 数据手册

AOT10N65/AOTF10N65

650V,10A N-Channel MOSFET

General Description

TheꢀꢀAOT10N65ꢀ&ꢀAOTF10N65ꢀhaveꢀbeenꢀfabricated usingꢀanꢀadvancedꢀhighꢀvoltageꢀMOSFETꢀprocessꢀthatꢀis

designedꢀtoꢀdeliverꢀhighꢀlevelsꢀofꢀperformanceꢀand

ByꢀprovidingꢀlowꢀR_DS(on),ꢀC_issꢀandꢀC_rssꢀalongꢀwith

robustnessꢀinꢀpopularꢀACꢁDCꢀapplications.

guaranteedꢀavalancheꢀcapabilityꢀtheseꢀpartsꢀcanꢀbe

adoptedꢀquicklyꢀintoꢀnewꢀandꢀexistingꢀofflineꢀpowerꢀsupply

designs.

Features

ꢀꢀꢀV_DS

750V@150℃

10A

ꢀꢀꢀI_Dꢀꢀ(atꢀV_GS=10V)

ꢀꢀꢀR_DS(ON)ꢀ(atꢀV_GS=10V)

<ꢀ1Ω

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

AOT10N65

AOTF10N65

Units

DrainꢁSourceꢀVoltage

GateꢁSourceꢀVoltage

650

±30

V_GS

T_C=25°C

10*

ContinuousꢀDrain

Current

I_D

T_C=100°C

6.2

6.2*

PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ^C

I_DM

3.4

173

347

AvalancheꢀCurrentꢀ^C

I_AR

Repetitiveꢀavalancheꢀenergyꢀ^C

E_AR

E_AS

dv/dt

Singleꢀpulsedꢀavalancheꢀenergyꢀ^G

Peakꢀdiodeꢀrecoveryꢀdv/dt

T_C=25°C

V/ns

W/ꢀ^oC

250

P_D

PowerꢀDissipationꢀ^B

Derateꢀaboveꢀ25^oC

0.4

JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRange

Maximumꢀleadꢀtemperatureꢀforꢀsoldering

purpose,ꢀ1/8"ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ5ꢀseconds

Thermal Characteristics

T_J,ꢀT_STG

T_L

ꢁ55ꢀtoꢀ150

300

°C

Parameter

Symbol

R_θJA

AOT10N65

AOTF10N65

Units

°C/W

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ^A,D

0.5

ꢁꢁ

MaximumꢀCaseꢁtoꢁsinkꢀ^A

R_θCS

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁCase

R_θJC

2.5

*ꢀDrainꢀcurrentꢀlimitedꢀbyꢀmaximumꢀjunctionꢀtemperature.

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