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AOSP21357

更新时间： 2024-02-07 10:50:37

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美国万代 - AOS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	504K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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AOSP21357 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	76 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.0085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AOSP21357 数据手册

AOSP21357

30V P-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

• Latest advanced trench technology

• Low R_DS(ON)

• High Current capability

-30V

-16A

I_D(at V_GS=-10V)

R_DS(ON)(at V_GS=-10V)

R_DS(ON)(at V_GS=-4.5V)

< 8.5mΩ

< 13mΩ

• RoHS and Halogen-Free Compliant

Applications

100% UIS Tested

100% Rg Tested

• Notebook AC-in load switch

• Battery protection charge/discharge

SO-8

Top View

Bottom View

Orderable Part Number

Package Type

Form

Tape & Reel

Minimum Order Quantity

AOSP21357

SO-8

3000

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

±25

V_GS

T_A=25°C

T_A=70°C

-16

Continuous Drain

Current

Pulsed Drain Current ^C

Avalanche Current ^C

Avalanche energy

I_D

-12.5

-64

I_DM

I_AS

L=0.1mH

T_A=25°C

T_A=70°C

E_AS

3.1

P_D

Power Dissipation ^B

2.0

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_qJA

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}Steady-State

Maximum Junction-to-Lead

Steady-State

R_qJL

Rev.3.0: February 2020

www.aosmd.com

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