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AON7220

更新时间： 2024-11-18 12:24:59

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美国万代 - AOS		/
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6页	394K
描述
25V N-Channel MOSFET

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AON7220 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	83 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

AON7220 数据手册

AON7220

25V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

25V

The AON7220 uses trench MOSFET technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance.Power losses are

minimized due to an extremely low combination of

R_DS(ON)and Crss.In addition,switching behavior is well

controlled with a "Schottky style" soft recovery body

diode.

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS= 4.5V)

50A

< 3mΩ

< 4mΩ

100% UIS Tested

100% R_gTested

DFN 3.3x3.3

Top View

Bottom View

Top View

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±12

V_GS

T_C=25°C

Continuous Drain

Current ^G

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

311

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

Avalanche Current ^C

Avalanche energy L=0.1mH ^C

I_DSM

I_AS, I_AR

115

E_AS, E_AR

T_C=25°C

P_D

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

T_A=25°C

6.2

P_DSM

°C

Power Dissipation ^A

T_A=70°C

-55 to 150

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

1.1

1.5

R_θJC

Rev 0: March 2011

www.aosmd.com

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