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AON6992

更新时间： 2024-11-21 20:04:11

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美国万代 - AOS		/
页数	文件大小	规格书
10页	358K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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AON6992 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.71
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

AON6992 数据手册

AON6992

30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

30V

• Trench Power αMOS Technology

• Low R_DS(ON)

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

50A

85A

• Low Gate Charge

• High Current Capability

• RoHS and Halogen-Free Compliant

< 5.2mΩ

< 8.6mΩ

< 2mΩ

< 2.5mΩ

Applications

100% UIS Tested

100% Rg Tested

• DC/DC Converters in Computing

• Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

Bottom View

Top View

DFN5X6D

Top View

Bottom View

PHASE

S1/D2

PHASE

(S1/D2)

PIN1

Q2: SRFET^TM

Soft Recovery MOSFET:

PIN1

Integrated Schottky Diode

Orderable Part Number

Package Type

Form

Tape & Reel

Minimum Order Quantity

AON6992

DFN 5x6D

3000

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Max Q1

Max Q2

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

±12

T_C=25°C

Continuous Drain

Current ^G

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

100

260

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

I_DSM

Avalanche Current ^C

Avalanche energy

V_DSSpike

I_AS

L=0.01mH

10µs

E_AS

V_SPIKE

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation ^B

Power Dissipation ^A

3.1

P_DSM

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ Q1

Typ Q2

Max Q1

Max Q2

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

≤ 10s

R_θJA

R_θJC

Steady-State

4.6

2.2

2.8

Rev.1.0: October 2014

www.aosmd.com

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