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AON6718 PDF预览

AON6718

更新时间： 2024-11-18 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8

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AON6718 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DFN
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AON6718 数据手册

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AON6718  
30V N-Channel MOSFET  
TM  
SRFET  
General Description  
Product Summary  
SRFETTM AON6718 uses advanced trench technology  
with a monolithically integrated Schottky diode to provide  
excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is  
ideally suited for use as a low side switch in CPU core  
power conversion.  
VDS (V) = 30V  
ID = 80A  
(VGS = 10V)  
(VGS = 10V)  
(VGS = 4.5V)  
RDS(ON) < 3.7mΩ  
RDS(ON) < 5mΩ  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
D
DFN5X6  
Top View  
Top View  
Bottom View  
SRFETTM  
1
8
Soft Recovery MOSFET:  
Integrated Schottky Diode  
2
3
7
6
4
5
G
S
PIN1  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
±20  
80  
V
V
VGS  
TC=25°C  
Continuous Drain  
Current G  
Pulsed Drain Current C  
ID  
TC=100°C  
63  
A
A
IDM  
210  
18  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
Avalanche Current C  
Repetitive avalanche energy L=0.1mH C  
IDSM  
15  
IAR  
40  
A
EAR  
80  
mJ  
TC=25°C  
Power Dissipation B  
TC=100°C  
83  
PD  
W
33  
TA=25°C  
2.1  
PDSM  
W
°C  
Power Dissipation A  
1.3  
TA=70°C  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
14.2  
42  
Max  
17  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t ≤ 10s  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
60  
1.5  
RθJC  
1.2  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com  
1234567

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AON6718 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STU150N3LLH6 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0024 ohm , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220
IPB05N03LB INFINEON

功能相似

 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

与AON6718相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AON6718L AOS

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AON6752 AOS

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AON6754 AOS

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 		30V N-Channel AlphaMOS
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 		30V N-Channel AlphaMOS
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 		30V N-Channel AlphaMOS
AON6774 AOS

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 		DFN5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AON6780 AOS

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 		30V N-Channel MOSFET
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 		DFN5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION

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