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AON6704

更新时间： 2024-09-16 21:22:27

品牌	Logo	应用领域
美国万代 - AOS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	266K
描述
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8

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AON6704 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	85 A
最大漏源导通电阻：	0.0034 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AON6704 数据手册

AON6704

30V N-Channel MOSFET

SRFET

General Description

Product Summary

SRFET^TMAON6704 uses advanced trench technology

with a monolithically integrated Schottky diode to provide

excellent R_DS(ON),and low gate charge. This device is

suitable for use as a low side FET in SMPS, load

switching and general purpose applications.

V_DS

30V

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS= 4.5V)

85A

< 2.5mΩ

< 3.4mΩ

100% UIS Tested

100% R_gTested

DFN5X6

Top View

Bottom View

SRFET^TM

Soft Recovery MOSFET:

Integrated Schottky Diode

PIN1

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

V_GS

T_C=25°C

Continuous Drain

Current ^G

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

250

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

Avalanche Current ^C

Avalanche energy L=0.1mH ^C

I_DSM

I_AS, I_AR

E_AS, E_AR

125

T_C=25°C

P_D

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

T_A=25°C

2.5

P_DSM

°C

Power Dissipation ^A

1.6

T_A=70°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJC

1.1

1.5

Rev 3 : March 2011

www.aosmd.com

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