5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > AON6590
AON6590 PDF预览

AON6590

更新时间： 2024-11-18 19:47:35
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 221K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

AON6590 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69雪崩能效等级（Eas）：634 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AON6590 数据手册

 浏览型号AON6590的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON6590的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON6590的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AON6590的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AON6590的Datasheet PDF文件第6页 
AON6590  
40V N-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
VDS  
• Trench Power MV MOSFET technology  
• Low RDS(ON)  
40V  
ID (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=4.5V)  
100A  
• Low Gate Charge  
• Optimized for fast-switching applications  
• RoHS and Halogen-Free Compliant  
< 0.99mΩ  
< 1.5mΩ  
Applications  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
• Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  
• Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial  
D
DFN5x6  
Top View  
Top View  
Bottom View  
1
2
3
4
8
7
6
5
G
PIN1  
S
PIN1  
Orderable Part Number  
Package Type  
Form  
Tape & Reel  
Minimum Order Quantity  
AON6590  
DFN 5x6  
3000  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
40  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VGS  
±20  
100  
100  
400  
67  
TC=25°C  
Continuous Drain  
Current G  
Pulsed Drain Current C  
ID  
TC=100°C  
A
IDM  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
IDSM  
A
54  
Avalanche Current C  
Avalanche energy  
VDS Spike  
IAS  
65  
A
mJ  
V
C
L=0.3mH  
10µs  
EAS  
634  
48  
VSPIKE  
TC=25°C  
TC=100°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
208  
83  
PD  
W
Power Dissipation B  
Power Dissipation A  
7.3  
PDSM  
W
4.7  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
14  
Max  
17  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Case  
t
≤ 10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
40  
50  
RθJC  
0.45  
0.6  
Rev.3.0: December 2014  
www.aosmd.com  
Page 1 of 6  
123456

中文翻译

下载PDF

与AON6590相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AON6590A AOS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
AON6702 AOS

获取价格

 		Transistor
AON6702L AOS

获取价格

 		Transistor
AON6704 AOS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AON6704L AOS

获取价格

 		Transistor
AON6706L AOS

获取价格

 		Transistor
AON6708L AOS

获取价格

 		Transistor
AON6710 AOS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON6710L AOS

获取价格

 		Transistor
AON6712 AOS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与AON6590相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证