5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.73 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 24 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AON6558L | AOS |
获取价格 |
DFN 5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
|
| AON6564 | AOS |
获取价格 |
30V N-Channel AlphaMOS |
|
| AON6566 | AOS |
获取价格 |
30V N-Channel AlphaMOS |
|
| AON6578 | AOS |
获取价格 |
DFN5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
|
| AON6578L | AOS |
获取价格 |
DFN5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
|
| AON6590 | AOS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| AON6590A | AOS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| AON6702 | AOS |
获取价格 |
Transistor |
|
| AON6702L | AOS |
获取价格 |
Transistor |
|
| AON6704 | AOS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
