AON6414A

更新时间： 2024-09-14 13:01:35

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美国万代 - AOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	390K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8

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AON6414A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DFN	包装说明：	6 X 5 MM, GREEN, DFN-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.67
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	31 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.0114 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	31 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AON6414A 数据手册

AON6414A

30V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

30V

The AON6414A uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge.This device is

suitable for use as a high side switch in SMPS and

general purpose applications.

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

50A

< 8mΩ

< 10.5mΩ

100% UIS Tested

100% R_gTested

DFN5X6

Top View

Bottom View

PIN1

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

V_GS

T_C=25°C

Continuous Drain

Current

Pulsed Drain Current ^C

I_D

T_C=100°C

I_DM

140

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

Avalanche Current ^C

Avalanche energy L=0.05mH ^C

I_DSM

I_AS, I_AR

E_AS, E_AR

T_C=25°C

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

P_D

12.5

2.3

T_A=25°C

P_DSM

°C

Power Dissipation ^A

1.5

T_A=70°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJC

3.4

Rev 3: Oct 2010

www.aosmd.com

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