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AON6404

更新时间： 2024-09-10 12:24:55

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美国万代 - AOS		/
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6页	165K
描述
30V N-Channel MOSFET

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AON6404 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

AON6404 数据手册

AON6404

30V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

The AON6404 combines advanced trench MOSFET

technology with a low resistance package to provide

extremely low R_DS(ON).This device is ideal for load

switch and battery protection applications.

V_DS(V) = 30V

I_D= 85A (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 2.2mΩ (V_GS= 10V)

R_DS(ON)< 3.8mΩ (V_GS= 4.5V)

ESD protected

100% UIS Tested

100% Rg Tested

DFN5X6

Top View

Bottom View

PIN1

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

V_DS

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C=25°C

Continuous Drain

Current ^B,G

T_C=100°C

I_D

Pulsed Drain Current

I_DM

160

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current ^A

I_DSM

I_AS

Avalanche Current

Single avalanche energy L=0.1mH

T_C=25°C

E_AS

361

P_D

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

T_A=25°C

2.1

P_DSM

°C

Power Dissipation ^A

1.3

T_A=70°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

Maximum Junction-to-Case ^C

R_θJC

1.1

1.5

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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