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AOL1412

更新时间： 2024-10-02 03:18:59
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOL1412 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：85 A最大漏源导通电阻：0.0046 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AOL1412 数据手册

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AOL1412  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
The AOL1412 uses advanced trench technology with  
a monolithically integrated Schottky diode to provide  
excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is  
suitable for use as a low side FET in SMPS, load  
switching and general purpose applications. Standard  
Product AOL1412 is Pb-free (meets ROHS & Sony  
259 specifications). AOL1412L is a Green Product  
ordering option. AOL1412 and AOL1412L are  
electrically identical.  
VDS (V) = 30V  
ID =85A (VGS = 10V)  
R
DS(ON) < 3.9mΩ (VGS = 10V)  
DS(ON) < 4.6mΩ (VGS = 4.5V)  
R
UIS Tested  
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested  
Ultra SO-8TM Top View  
Fits SOIC8  
footprint !  
D
D
Bottom tab  
connected to  
drain  
G
S
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
±12  
V
A
I
TC=25°C  
85  
Continuous Drain  
Current B  
TC=100°C  
ID  
84  
IDM  
Pulsed Drain Current  
Continuous Drain  
Current H  
200  
TA=25°C  
TA=70°C  
27  
A
IDSM  
IAR  
21  
Avalanche Current C  
40  
A
Repetitive avalanche energy L=0.3mH C  
EAR  
240  
mJ  
TC=25°C  
Power Dissipation B  
TC=100°C  
100  
PD  
W
50  
TA=25°C  
5
3
PDSM  
W
Power Dissipation A  
TA=70°C  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 175  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Case C  
Symbol  
Typ  
19.6  
50  
Max  
25  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t ≤ 10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
60  
RθJC  
1
1.5  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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