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AOI452A

更新时间： 2024-11-25 20:39:31

品牌	Logo	应用领域
美国万代 - AOS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, GREEN, TO-251A, IPAK-3

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AOI452A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	55 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AOI452A 数据手册

AOI452A

N-Channel SDMOS^TMPower Transistor

General Description

Features

The AOI452A is fabricated with SDMOS^TMtrench

technology that combines excellent R_DS(ON)with low gate

charge.The result is outstanding efficiency with

controlled switching behavior. This universal technology

is well suited for PWM, load switching and general

purpose applications.

_DS(V) =25V

(V_GS= 10V)

(V_GS= 4.5V)

I_D= 55A

_DS(ON)< 7.3mΩ

_DS(ON)< 14mΩ

- RoHS Compliant

- Halogen Free

100% UIS Tested!

100% R_gTested!

TO-251A

IPAK

Bottom View

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

I_D

I_DM

I_DSM

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^G

±20

T_C=25°C

T_C=100°C

Pulsed Drain Current ^C

120

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

Avalanche Current ^C

Repetitive avalanche energy L=0.1mH ^C

I_AR

E_AR

T_C=25°C

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

P_D

T_A=25°C

3.2

P_DSM

Power Dissipation ^A

T_A=70°C

2.2

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 175

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

14.2

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

R_θJC

2.5

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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