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AOI444 (KOI444)

更新时间： 2024-10-15 18:09:43

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N-Channel MOSFET

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AOI444 (KOI444) 数据手册

DIP Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

AOI444 (KOI444)

Unit:mm

TO-251

■ Features

● V^{DS (V)}= 60V

2 3

● ID = 12 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 60mΩ (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 85mΩ (VGS = 4.5V)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

±20

Gate-Source Voltage

Tc=25℃

Tc=100℃

Ta=25℃

Ta=70℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

2.1

1.3

7.5

175

AS,IAR

Avalanche energy L=0.1mH

AS,EAR

Tc=25℃

Tc=100℃

Ta=25℃

Ta=70℃

t ≤ 10s

Power Dissipation

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

thJA

thJC

Steady-State

℃/W

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

stg

-55 to 175

www.kexin.com.cn

12 3 4 5

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