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AOD4S60

更新时间： 2024-09-13 12:51:35
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美国万代 - AOS 晶体晶体管
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7页 457K
描述
600V 4A a MOS Power Transistor

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AOD4S60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3E991
HTS代码：8541.29.00.40风险等级：2.27
雪崩能效等级（Eas）：77 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AOD4S60 数据手册

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AOD4S60/AOI4S60/AOU4S60  
600V 4A  
α
MOS TM Power Transistor  
General Description  
Product Summary  
VDS @ Tj,max  
IDM  
700V  
16A  
The AOD4S60 & AOI4S60 & AOU4S60 have been  
fabricated using the advanced αMOSTM high voltage  
process that is designed to deliver high levels of  
performance and robustness in switching applications.  
By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with  
guaranteed avalanche capability these parts can be  
adopted quickly into new and existing offline power supply  
designs.  
RDS(ON),max  
Qg,typ  
0.9Ω  
6nC  
Eoss @ 400V  
1.5µJ  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
TO252  
DPAK  
TO251A  
IPAK  
TO251  
D
Top View  
Bottom View  
Top View  
Top View  
Bottom View  
Bottom View  
D
D
G
G
S
D
S
G
D
S
G
S
S
D
D
G
G
S
S
G
AOD4S60  
AOI4S60  
AOU4S60  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
600  
±30  
4
V
V
VGS  
TC=25°C  
Continuous Drain  
Current  
ID  
TC=100°C  
3
A
Pulsed Drain Current C  
Avalanche Current C  
IDM  
IAR  
16  
1.6  
38  
A
mJ  
Repetitive avalanche energy C  
Single pulsed avalanche energy H  
TC=25°C  
EAR  
EAS  
77  
mJ  
W
W/ oC  
56.8  
PD  
Power Dissipation B  
Derate above 25oC  
0.45  
100  
20  
MOSFET dv/dt ruggedness  
Peak diode recovery dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
°C  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Maximum lead temperature for soldering  
purpose, 1/8" from case for 5 seconds K  
Thermal Characteristics  
TL  
300  
°C  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient A,D  
RθJA  
45  
55  
°C/W  
Maximum Case-to-sink A  
Maximum Junction-to-CaseD,F  
RθCS  
RθJC  
--  
0.5  
2.2  
°C/W  
°C/W  
1.8  
Rev3: Jan 2012  
www.aosmd.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AOD4T60 AOS

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 		TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION
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 		25V N-Channel AlphaMOS
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 		25V N-Channel AlphaMOS
AOD508 AOS

获取价格

 		30V N-Channel AlphaMOS
AOD508 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
AOD510 FREESCALE

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 		30V N-Channel AlphaMOS
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