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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 235 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AOD4S60 | FREESCALE |
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600V 4A a MOS TM Power Transistor |
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| AOD4S60 | AOS |
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600V 4A a MOS Power Transistor |
|
| AOD4T60 | AOS |
获取价格 |
TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
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| AOD4T60L | AOS |
获取价格 |
TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
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| AOD502 | AOS |
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25V N-Channel AlphaMOS |
|
| AOD504 | AOS |
获取价格 |
25V N-Channel AlphaMOS |
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| AOD508 | AOS |
获取价格 |
30V N-Channel AlphaMOS |
|
| AOD508 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| AOD510 | FREESCALE |
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30V N-Channel AlphaMOS |
|
| AOD510 | AOS |
获取价格 |
30V N-Channel AlphaMOS |
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