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AOD452A

更新时间： 2024-11-25 06:37:15
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 195K
描述
N-Channel SDMOSTM POWER Transistor

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AOD452A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AOD452A 数据手册

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AOD452A  
N-Channel SDMOSTM POWER Transistor  
General Description  
Features  
The AOD452A/L is fabricated with SDMOSTM trench  
technology that combines excellent RDS(ON) with low  
gate charge.The result is outstanding efficiency with  
controlled switching behavior. This universal technology  
is well suited for PWM, load switching and general  
purpose applications. AOD452A and AOD452AL are  
electrically identical.  
VDS (V) = 25V  
ID = 55A  
(VGS = 10V)  
(VGS = 10V)  
(VGS = 4.5V)  
R
DS(ON) < 8mΩ  
DS(ON) <14mΩ  
R
100% UIS Tested!  
100% Rg Tested!  
-RoHS Compliant  
-AOD452AL is Halogen Free  
TO-252  
D-PAK  
Bottom View  
Top View  
D
D
G
G
S
S
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
25  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
CurrentG  
Pulsed Drain Current C  
Pulsed Forward Diode CurrentC  
Avalanche Current C  
VGS  
±20  
TC=25°C  
55  
TC=100°C  
ID  
43  
IDM  
ISM  
IAR  
EAR  
120  
A
120  
35  
31  
Repetitive avalanche energy L=50µH C  
mJ  
W
TC=25°C  
50  
PD  
Power Dissipation B  
TC=100°C  
25  
TA=25°C  
2.5  
PDSM  
W
Power Dissipation A  
TA=70°C  
1.6  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 175  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
14.2  
39  
Max  
20  
50  
3
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t ≤ 10s  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Case B  
Maximum Junction-to-TAB B  
Steady-State  
Steady-State  
Steady-State  
RθJC  
2.5  
RθJC-TAB  
2.7  
3.2  
°C/W  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com  
1234567

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AOD452A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD70NH02L STMICROELECTRONICS

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