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AOD444

更新时间： 2024-11-21 12:51:35
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
60V N-Channel MOSFET

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AOD444 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.68Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AOD444 数据手册

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AOD444/AOI444  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
VDS  
The AOD444/AOI444 combine advanced trench MOSFET  
technology with a low resistance package to provide  
extremely low RDS(ON). Those devices are suitable for use  
in PWM, load switching and general purpose applications.  
60V  
12A  
ID (at VGS=10V)  
< 60mΩ  
< 85mΩ  
RDS(ON) (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
TO252  
DPAK  
TO-251A  
IPAK  
D
TopView  
Bottom View  
TopView  
Bottom View  
D
D
D
G
S
S
G
G
D
G
S
D
S
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
60  
V
VGS  
ID  
IDM  
IDSM  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current G  
±20  
V
A
TC=25°C  
12  
TC=100°C  
9
Pulsed Drain Current C  
30  
TA=25°C  
TA=70°C  
4
Continuous Drain  
Current  
Avalanche Current C  
Avalanche energy L=0.1mH C  
A
3
19  
IAS, IAR  
A
EAS, EAR  
18  
mJ  
TC=25°C  
20  
PD  
W
Power Dissipation B  
Power Dissipation A  
TC=100°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
10  
2.1  
PDSM  
W
1.3  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 175  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
17.4  
50  
Max  
30  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t ≤ 10s  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Case  
60  
Steady-State  
Steady-State  
RθJC  
4
7.5  
Rev 0: Aug 2009  
www.aosmd.com  
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AOD444 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AOI444 AOS

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