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AOD436

更新时间： 2024-11-06 08:31:03

品牌	Logo	应用领域
美国万代 - AOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	115K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOD436 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

AOD436 数据手册

AOD436

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AOD436 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge and low

gate resistance. This device is ideally suited for use

as a high side switch in CPU core power conversion.

Standard Product AOD436 is Pb-free (meets ROHS

& Sony 259 specifications). AOD436L is a Green

Product ordering option. AOD436 and AOD436L are

electrically identical.

V_DS(V) = 30V

I_D= 60A (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 7.5mΩ (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 13mΩ (V_GS= 4.5V)

TO-252

D-PAK

Top View

Drain Connected

to Tab

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^B,G

±20

T_C=25°C ^G

T_C=100°C ^B

I_D

I_DM

I_AR

E_AR

Pulsed Drain Current

Avalanche Current ^C

130

Repetitive avalanche energy L=0.1mH ^C

113

T_C=25°C

P_D

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

T_A=25°C

2.5

P_DSM

Power Dissipation ^A

T_A=70°C

1.6

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 175

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Case ^C

Symbol

Typ

14.2

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJC

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AOD442	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
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