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AOD4184

更新时间: 2024-11-18 03:18:55
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美国万代 - AOS 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
Plastic Encapsulated Device

AOD4184 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):61 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.008 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

AOD4184 数据手册

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AOS Semiconductor  
Product Reliability Report  
AOD4184/AOD4184L, rev A  
Plastic Encapsulated Device  
ALPHA & OMEGA Semiconductor, Inc  
495 Mercury Drive  
Sunnyvale, CA 94085  
U.S.  
Tel: (408) 830-9742  
www.aosmd.com  
Apr 15, 2008  
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