AOD413A

更新时间： 2024-11-18 06:37:15

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美国万代 - AOS		晶体晶体管场效应晶体管
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6页	157K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOD413A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.52	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

AOD413A 数据手册

AOD413A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AOD413A uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate

charge. With the excellent thermal resistance of the

DPAK package, this device is well suited for high

current load applications.

V_DS(V) = -40V

I_D= -12A

(V_GS= -10V)

R_DS(ON)< 44mΩ (V_GS= -10V)

R_DS(ON)< 66mΩ (V_GS= -4.5V)

100% UIS Tested!

100% Rg Tested!

-RoHS Compliant

-Halogen Free*

TO-252

D-PAK

Bottom View

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

V_DS

-40

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^B,H

Pulsed Drain Current ^C

Avalanche Current ^C

V_GS

±20

-12

T_C=25°C

T_C=100°C

I_D

-9

I_DM

I_AR

E_AR

-30

-20

Repetitive avalanche energy L=0.1mH ^C

°C

T_C=25°C

P_D

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

T_A=25°C

2.5

P_DSM

Power Dissipation ^A

1.6

T_A=70°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

16.7

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A,G

t ≤ 10s

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^A,G

Maximum Junction-to-Case ^F

Steady-State

R_θJC

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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