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AOD4126

更新时间： 2024-11-05 12:24:51

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美国万代 - AOS		/
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7页	462K
描述
100V N-Channel MOSFET

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AOD4126 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.69	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	43 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

AOD4126 数据手册

AOD4126/AOI4126

100V N-Channel MOSFET

SDMOS ^TM

General Description

Product Summary

The AOD4126&AOI4126 are fabricated with SDMOS^TM

trench technology that combines excellent R_DS(ON)with

low gate charge.The result is outstanding efficiency with

controlled switching behavior. This universal technology is

well suited for PWM, load switching and general purpose

applications.

V_DS

100V

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS= 7V)

43A

< 24mΩ

< 30mΩ

100% UIS Tested

100% R_gTested

TO252

DPAK

TO-251A

IPAK

Top View

Bottom View

Top View

Bottom View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

V_DS

100

Gate-Source Voltage

V_GS

±25

T_C=25°C

Continuous Drain

Current ^B

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

100

T_A=25°C

T_A=70°C

7.5

Continuous Drain

Current ^A

I_DSM

Avalanche Current ^C

I_AS, I_AR

Avalanche energy L=0.1mH ^C

E_AS, E_AR

T_C=25°C

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

100

P_D

T_A=25°C

P_DSM

°C

Power Dissipation ^A

1.9

T_A=70°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJC

1.5

Rev1 : May 2012

www.aosmd.com

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AOD4126 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD40NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100V - 0.025Ω - 50A TO-220 / DPAK L

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