AOD410

更新时间： 2024-11-05 12:51:35

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美国万代 - AOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	244K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOD410 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

AOD410 数据手册

AOD410

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

TheꢀAOD410ꢀusesꢀadvancedꢀtrenchꢀtechnologyꢀto

provideꢀexcellentꢀR_DS(ON)ꢀandꢀlowꢀgateꢀcharge.ꢀThis

deviceꢀisꢀsuitableꢀforꢀuseꢀasꢀaꢀloadꢀswitchꢀorꢀinꢀPWM

applications.

V_DSꢀ(V)ꢀ=ꢀ30V

I_Dꢀ=ꢀ8Aꢀ(V_GSꢀ=ꢀ10V)

_DS(ON)ꢀ<ꢀ65mΩꢀꢀꢀ(V_GSꢀ=ꢀ10V)

R_DS(ON)ꢀ<ꢀ105mΩꢀ(V_GSꢀ=ꢀ4.5V)

ꢀꢀꢀꢀꢀꢁRoHSꢀCompliant

ꢀꢀꢀꢀꢀꢁHalogenꢀFree*

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

100% UIS Tested!

100% Rg Tested!

TO-252

D-PAK

Bottom View

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

DrainꢁSourceꢀVoltage

V_DS

GateꢁSourceꢀVoltage

V_GS

±20

T_C=25°C

ContinuousꢀDrain

Currentꢀ^G

PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ^B

AvalancheꢀCurrentꢀ^C

T_C=100°C

I_D

I_DM

I_AR

E_AR

RepetitiveꢀavalancheꢀenergyꢀL=0.1mHꢀ^C

T_C=25°C

PowerꢀDissipationꢀ^B

T_C=100°C

P_D

12.5

2.1

T_A=25°C

P_DSM

PowerꢀDissipationꢀ^A

1.33

ꢁ55ꢀtoꢀ175

T_A=70°C

JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRange

T_J,ꢀT_STG

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ^A

tꢀꢀ≤ꢀ10s

R_θJA

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ^A

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁCaseꢀ^C

SteadyꢁState

R_θJL

5.3

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

www.aosmd.com

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