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AOD403

更新时间： 2024-11-18 08:31:03
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲PC
页数 文件大小 规格书
4页 153K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOD403 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.7
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1069163Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：TO252(DPAK)Samacsys Released Date：2018-09-09 10:23:27
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：136 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AOD403 数据手册

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AOD403  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
The AOD403 uses advanced trench technology to  
provide excellent RDS(ON), low gate charge and low  
gate resistance. With the excellent thermal resistance  
of the DPAK package, this device is well suited for  
high current load applications. Standard Product  
AOD403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259  
specifications). AOD403L is a Green Product  
ordering option. AOD403 and AOD403L are  
electrically identical.  
VDS (V) = -30V  
ID = -85A (VGS = -20V)  
R
DS(ON) < 6mΩ (VGS = -20V)  
DS(ON) < 7.6mΩ (VGS = -10V)  
R
TO-252  
D-PAK  
D
Top View  
Drain Connected  
to Tab  
G
S
G
D
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
-30  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current B,G  
±25  
-85  
V
A
TA=25°C G  
TA=100°C B  
ID  
-65  
IDM  
IAR  
EAR  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current C  
Repetitive avalanche energy L=0.1mH C  
-200  
-30  
A
120  
mJ  
TC=25°C  
Power Dissipation B  
TC=100°C  
100  
PD  
W
50  
TA=25°C  
2.5  
PDSM  
W
Power Dissipation A  
TA=70°C  
1.6  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 175  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Case C  
Symbol  
Typ  
13  
Max  
20  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t ≤ 10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
39  
50  
RθJL  
0.56  
1.5  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
1234

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AOD403 替代型号

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