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AOD2610E

更新时间： 2024-11-21 17:15:55

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
7页	489K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:46A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:9.5mΩ@10V

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AOD2610E 数据手册

UMW

AOD2610E

60V N-Channel MOSFET

General Description

• Low R_DS(ON)

• Low Gate Charge

• Low Eoss

• ESD protected

• RoHS and Halogen-Free Compliant

Product Summary

V_DS

60V

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

46A

< 9.5mΩ

< 13.3mΩ

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C=25°C

Continuous Drain

Current ^G

Pulsed Drain Current ^C

I_D

T_C=100°C

36.5

110

I_DM

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

Avalanche Current ^C

I_DSM

I_AS

Avalanche energy

L=0.3mH

10µs

E_AS

V_DSSpike

V_SPIKE

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=70°C

59.5

23.5

6.2

P_D

Power Dissipation ^B

Power Dissipation ^A

P_DSM

4.0

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

R_θJC

1.7

2.1

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7

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