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AOD2610E

更新时间： 2024-11-20 20:51:27
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 418K
描述
MOSFET N-CH 60V 46A TO252

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AOD2610E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：2.26
雪崩能效等级（Eas）：43 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：46 A最大漏源导通电阻：0.0133 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AOD2610E 数据手册

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AOD2610E/AOI2610E/AOY2610E  
60V N-Channel AlphaSGT TM  
General Description  
Product Summary  
• Trench Power AlphaSGTTM technology  
• Low RDS(ON)  
• Low Gate Charge  
• Low Eoss  
VDS  
60V  
ID (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=10V)  
46A  
< 9.5mΩ  
< 13.3mΩ  
RDS(ON) (at VGS=4.5V)  
• ESD protected  
• RoHS and Halogen-Free Compliant  
Typical ESD protection  
HBM Class 2  
Applications  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
• High efficiency power supply  
• Secondary synchronus rectifier  
TO-252  
DPAK  
TO-251A  
IPAK  
TO251B  
D
Top View  
Top View  
Top View  
Bottom View  
Bottom View  
Bottom View  
D
D
D
D
G
S
G
S
G
G
S
D
D
D
D
G
S
S
S
S
G
G
AOD2610E  
AOI2610E  
AOY2610E  
Orderable Part Number  
AOD2610E  
Package Type  
TO-252  
Form  
Tape & Reel  
Minimum Order Quantity  
2500  
4000  
4000  
AOI2610E  
AOY2610E  
TO-251A  
TO-251B  
Tube  
Tube  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
±20  
46  
V
V
VGS  
TC=25°C  
Continuous Drain  
Current G  
Pulsed Drain Current C  
ID  
TC=100°C  
A
36.5  
110  
19  
IDM  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
Avalanche Current C  
IDSM  
A
15  
IAS  
17  
A
mJ  
V
C
Avalanche energy  
L=0.3mH  
10µs  
EAS  
43  
I
VDS Spike  
VSPIKE  
72  
TC=25°C  
TC=100°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
59.5  
23.5  
6.2  
PD  
W
Power Dissipation B  
Power Dissipation A  
PDSM  
W
4.0  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
15  
Max  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t ≤ 10s  
20  
50  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
40  
RθJC  
1.7  
2.1  
Rev.2.0: November 2016  
www.aosmd.com  
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