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AOD21357

更新时间： 2024-11-06 21:20:43

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美国万代 - AOS		/
页数	文件大小	规格书
6页	372K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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AOD21357 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

AOD21357 数据手册

AOD21357/AOI21357

30V P-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

-30V

-70A

• Latest advanced trench technology

• Low R_DS(ON)

I_D(at V_GS=-10V)

R_DS(ON)(at V_GS=-10V)

R_DS(ON)(at V_GS=-4.5V)

• High Current Capability

• RoHS and Halogen-Free Compliant

< 8mΩ

< 13mΩ

Applications

100% UIS Tested

100% Rg Tested

• Notebook AC-in load switch

• Battery protection charge/discharge

TO-251A

IPAK

TO252

DPAK

TopView

Bottom View

Top View

Bottom View

Orderable Part Number

AOD21357

Package Type

TO-252

Form

Tape & Reel

Tube

Minimum Order Quantity

2500

3500

AOI21357

TO-251A

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

-30

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±25

-70

T_C=25°C

Continuous Drain

Current ^G

Pulsed Drain Current ^C

I_D

T_C=100°C

-50

I_DM

-180

-23

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

Avalanche Current ^C

I_DSM

-18

I_AS

Avalanche energy

L=0.1mH

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=70°C

E_AS

P_D

Power Dissipation ^B

Power Dissipation ^A

6.2

P_DSM

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_qJA

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

R_qJC

1.3

1.6

Rev.1.0: November 2018

www.aosmd.com

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