AOB11S60L

更新时间： 2024-09-12 12:59:47

品牌	Logo	应用领域
美国万代 - AOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	297K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3/2

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AOB11S60L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.54	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.399 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	178 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AOB11S60L 数据手册

AOT11S60/AOB11S60/AOTF11S60

600V 11A

MOS ^TMPower Transistor

General Description

Product Summary

V_DS@ T_j,max

I_DM

700V

45A

The AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60 have been

fabricated using the advanced αMOS^TMhigh voltage

process that is designed to deliver high levels of

performance and robustness in switching applications.

By providing low R_DS(on), Q_gand E_OSSalong with

guaranteed avalanche capability these parts can be

adopted quickly into new and existing offline power supply

designs.

R_DS(ON),max

Q_g,typ

0.399Ω

11nC

2.7µJ

E_oss@ 400V

100% UIS Tested

100% R_gTested

For Halogen Free add "L" suffix to part number:

AOT11S60L & AOB11S60L & AOTF11S60L

Top View

TO-220F(3kVAC;1s)

TO-263

D²PAK

TO-220

AOT11S60

AOTF11S60

AOB11S60

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

AOT11S60/AOB11S60

AOTF11S60

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

±30

T_C=25°C

11*

Continuous Drain

Current

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current ^C

Avalanche Current ^C

I_DM

I_AR

Repetitive avalanche energy ^C

Single pulsed avalanche energy ^G

T_C=25°C

E_AR

E_AS

120

W/ ^oC

178

P_D

Power Dissipation ^B

Derate above 25^oC

1.4

100

0.3

MOSFET dv/dt ruggedness

Peak diode recovery dv/dt ^H

dv/dt

V/ns

°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Maximum lead temperature for soldering

purpose, 1/8" from case for 5 seconds ^J

Thermal Characteristics

T_L

300

°C

Parameter

Symbol

AOT11S60/AOB11S60

AOTF11S60

Units

Maximum Junction-to-Ambient ^A,D

R_θJA

°C/W

Maximum Case-to-sink ^A

R_θCS

R_θJC

0.5

0.7

°C/W

Maximum Junction-to-Case

3.25

* Drain current limited by maximum junction temperature.

Rev 5: Sep 2012

www.aosmd.com

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AOB11S60L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDD60N360U1-35G	ONSEMI	功能相似	N-Channel Power MOSFET
AOD11S60	AOS	功能相似	600V 11A a MOS Power Transistor
IPB65R380C6	INFINEON	功能相似	650V CoolMOS C6 Power Transistor

与AOB11S60L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AOB11S65	FREESCALE	获取价格	650V 11A a MOS TM Power Transistor
AOB11S65	AOS	获取价格	650V 11A a MOS Power Transistor
AOB11S65L	AOS	获取价格	Transistor
AOB12N50	AOS	获取价格	500V, 12A N-Channel MOSFET
AOB12N50	FREESCALE	获取价格	500V, 12A N-Channel MOSFET
AOB12N60FD	AOS	获取价格	TO263(D2PAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AOB12N60FDL	AOS	获取价格	TO263(D2PAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AOB12N65	AOS	获取价格	650V, 12A N-Channel MOSFET
AOB12N65L	AOS	获取价格	650V, 12A N-Channel MOSFET
AOB1404L	AOS	获取价格	40V N-Channel Rugged Planar MOSFET

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