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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.399 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 178 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AOB11S60L | AOS |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| AOB11S65 | FREESCALE |
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650V 11A a MOS TM Power Transistor |
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| AOB11S65 | AOS |
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650V 11A a MOS Power Transistor |
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| AOB11S65L | AOS |
获取价格 |
Transistor |
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| AOB12N50 | AOS |
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500V, 12A N-Channel MOSFET |
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| AOB12N50 | FREESCALE |
获取价格 |
500V, 12A N-Channel MOSFET |
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| AOB12N60FD | AOS |
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TO263(D2PAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
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| AOB12N60FDL | AOS |
获取价格 |
TO263(D2PAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
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| AOB12N65 | AOS |
获取价格 |
650V, 12A N-Channel MOSFET |
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| AOB12N65L | AOS |
获取价格 |
650V, 12A N-Channel MOSFET |
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