是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.7 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.023 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 105 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AO9926B | AOS |
完全替代 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AO9926E | AOS |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
AO9926EL | AOS |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
AOA0000CE2 | PANASONIC |
获取价格 |
Precision Thick Film Chip Resistors | |
AOA400 | AOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
AOA400L | AOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
AOB10B60D | AOS |
获取价格 |
600V, 10A Alpha IGBT with Diode | |
AOB10N60 | AOS |
获取价格 |
600V,10A N-Channel MOSFET | |
AOB10N60L | AOS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
AOB1100L | FREESCALE |
获取价格 |
100V N-Channel Rugged Planar MOSFET | |
AOB1100L | AOS |
获取价格 |
100V N-Channel Rugged Planar MOSFET |