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AO8820

更新时间： 2024-09-13 08:31:03
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美国万代 - AOS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 206K
描述
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO8820 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AO8820 数据手册

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AO8820  
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect  
Transistor  
General Description  
Features  
The AO8820 uses advanced trench technology to  
provide excellent RDS(ON), low gate charge and  
operation with gate voltages as low as 1.8V while  
retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This  
device is suitable for use as a uni-directional or bi-  
directional load switch, facilitated by its common-drain  
configuration. Standard Product AO8820 is Pb-free  
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8820L is  
a Green Product ordering option. AO8820 and  
AO8820L are electrically identical.  
VDS (V) = 20V  
ID = 7A (VGS = 10V)  
RDS(ON) < 21mΩ (VGS = 10V)  
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 4.5V)  
RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 2.5V)  
RDS(ON) <50mΩ (VGS = 1.8V)  
ESD Rating: 2000V HBM  
D1  
D2  
TSSOP-8  
Top View  
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2  
S1  
D1/D2  
S2  
S2  
G1  
G2  
S1  
G1  
G2  
S2  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
20  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A  
±12  
7
V
A
TA=25°C  
TA=70°C  
ID  
5.5  
Pulsed Drain Current B  
IDM  
25  
TA=25°C  
TA=70°C  
1.5  
PD  
W
Power Dissipation A  
0.96  
-55 to 150  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
64  
Max  
83  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t ≤ 10s  
RθJA  
RθJL  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Lead C  
89  
120  
70  
Steady-State  
Steady-State  
53  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AO8820_12 AOS

获取价格

 		20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
AO8820L AOS

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AO8822 AOS

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