5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > AO6603
AO6603 PDF预览

AO6603

更新时间： 2024-11-25 08:31:03
品牌 Logo 应用领域
美国万代 - AOS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 281K
描述
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

AO6603 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：0.225 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：14 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值：1.15 W最大功率耗散 (Abs)：1.15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

AO6603 数据手册

 浏览型号AO6603的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO6603的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO6603的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO6603的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO6603的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO6603的Datasheet PDF文件第7页 
AO6603  
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
n-channel  
VDS (V) = 20V  
ID = 1.7 (VGS = 4.5V) -2.5A  
RDS(ON)  
p-channel  
-30V  
The AO6603 uses advanced trench technology to  
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The  
complementary MOSFETs form a high-speed power  
inverter, suitable for a multitude of applications.  
Standard Product AO6603 is Pb-free (meets ROHS  
& Sony 259 specifications). AO6603L is a Green  
Product ordering option. AO6603 and AO6603L are  
electrically identical.  
< 225mΩ (VGS = 4.5V) < 135mΩ (VGS = -10V)  
< 290mΩ (VGS = 2.5V) < 185mΩ (VGS = 2.5V)  
< 425mΩ (VGS = 1.8V) < 265mΩ (VGS = 1.8V)  
D2  
S2  
D1  
S1  
TSOP6  
Top View  
G1  
G2  
1
2
3
6
5
4
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
n-channel  
p-channel  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Max n-channel  
Max p-channel Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A  
20  
±8  
-30  
±12  
V
V
VGS  
TA=25°C  
TA=70°C  
1.7  
-2.3  
A
ID  
1.4  
-1.8  
Pulsed Drain CurrentB  
IDM  
15  
-30  
TA=25°C  
TA=70°C  
1.15  
0.73  
-55 to 150  
1.15  
PD  
W
Power Dissipation  
0.73  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel  
Parameter  
Symbol  
Typ  
Max  
110  
150  
80  
Units  
Maximum Junction-to-AmbientA  
78  
106  
64  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t ≤ 10s  
RθJA  
Maximum Junction-to-AmbientA  
Steady-State  
Maximum Junction-to-LeadC  
Steady-State  
RθJL  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
1234567

中文翻译

下载PDF

与AO6603相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AO6603L AOS

获取价格

 		Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6604 FREESCALE

获取价格

 		N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET High performance trench technology
AO6604 AOS

获取价格

 		20V Complementary MOSFET
AO6604 UMW

获取价格

 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 20V；P：-20V;持续漏极电
AO6604L ETC

获取价格

 		Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605 AOS

获取价格

 		Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605L AOS

获取价格

 		Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6700 AOS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6700L AOS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6701 AOS

获取价格

 		P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

与AO6603相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证