AO6405

更新时间： 2024-10-30 06:37:15

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美国万代 - AOS		晶体晶体管场效应晶体管
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4页	140K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO6405 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.92	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AO6405 数据手册

AO6405

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO6405 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications. Standard Product AO6405 is Pb-free

(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6405L

is a Green Product ordering option. AO6405 and

AO6405L are electrically identical.

V_DS(V) = -30V

I_D= -5 A (V_GS= -10V)

_DS(ON)< 52mΩ (V_GS= -10V)

_DS(ON)< 87mΩ (V_GS= -4.5V)

TSOP6

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

-30

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±20

T_A=25°C

T_A=70°C

-5

-4.2

I_D

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

-20

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation ^A

1.4

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Symbol

Typ

47.5

Max

62.5

110

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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