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AO6400

更新时间： 2024-11-18 12:51:31

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美国万代 - AOS		/
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5页	495K
描述
30V N-Channel MOSFET

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AO6400 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.71	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	6.9 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AO6400 数据手册

AO6400

30V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

30V

The AO6400 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as

a load switch or in PWM applications.

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

6.9A

< 28mΩ

< 33mΩ

< 52mΩ

R_DS(ON)(at V_GS= 4.5V)

R_DS(ON)(at V_GS= 2.5V)

TSOP6

Top View

Bottom View

Top View

Pin1

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±12

T_A=25°C

T_A=70°C

6.9

Continuous Drain

Current

I_D

5.8

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

P_D

T_A=25°C

T_A=70°C

°C

Power Dissipation ^B

1.3

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

47.5

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

≤ 10s

62.5

110

R_θJA

Steady-State

R_θJL

Rev 12: Dec 2011

www.aosmd.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AO6400 (KO6400)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
AO6400L	AOS	获取价格	Transistor
AO6401	AOS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6401	FREESCALE	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET High power and current handling capability
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AO6401_11	AOS	获取价格	30V P-Channel MOSFET
AO6401A	FREESCALE	获取价格	30V P-Channel MOSFET
AO6401A	AOS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6401A	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-12V;持续漏极电流（Id）（在25°C
AO6401A (KO6401A)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET