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AO4932

更新时间： 2024-11-17 06:37:15
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美国万代 - AOS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 149K
描述
Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4932 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.79Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.0158 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AO4932 数据手册

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AO4932  
Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
TM  
SRFET  
General Description  
Features  
FET1  
The AO4932 uses advanced trench technology to  
provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The two  
MOSFETs make a compact and efficient switch and  
synchronous rectifier combination for use in DC-DC  
converters. A monolithically integrated Schottky diode in  
parallel with the synchronous MOSFET to boost  
efficiency further. Standard Product AO4932 is Pb-free  
(meets ROHS & Sony 259 specifications).  
FET2  
VDS(V) = 30V  
ID=9A  
VDS (V) = 30V  
ID = 9A  
(VGS = 10V)  
(VGS = 10V)  
(VGS = 4.5V)  
R
DS(ON) < 15.8mΩ  
DS(ON) < 19.6mΩ  
<15.8mΩ  
<23mΩ  
R
UIS TESTED!  
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested  
SRFETTM  
Soft Recovery MOSFET:  
Integrated Schottky Diode  
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Max FET1  
Max FET2  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
30  
±20  
9.0  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current AF  
Pulsed Drain Current B  
Avalanche Current C  
±12  
9.0  
V
TA=25°C  
TA=70°C  
A
IDSM  
IDM  
7.2  
7.2  
40  
40  
A
A
IAR  
16  
16  
Repetitive avalanche energy L=0.3mH C  
EAR  
38  
38  
mJ  
TA=25°C  
2.0  
2.0  
PDSM  
W
Power Dissipation  
TA=70°C  
1.3  
1.3  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics FET1  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Lead C  
Symbol  
Typ  
48  
Max  
62.5  
90  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t ≤ 10s  
RθJA  
RθJL  
Steady-State  
Steady-State  
74  
32  
40  
Thermal Characteristics FET2  
Parameter  
Symbol  
Typ  
48  
Max  
62.5  
90  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t ≤ 10s  
RθJA  
RθJL  
Steady-State  
Steady-State  
74  
Maximum Junction-to-Lead C  
32  
40  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com  
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AO4932 替代型号

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