AO4822AL

更新时间： 2024-09-13 08:31:03

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美国万代 - AOS		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	115K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4822AL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

AO4822AL 数据手册

AO4822A

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO4822A uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)and low gate charge. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications. Standard Product AO4822A is Pb-free

(meets ROHS & Sony 259 specifications).

V_DS(V) = 30V

I_D= 8.5A (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 16mΩ (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 26mΩ (V_GS= 4.5V)

AO4822AL is a Green Product ordering option.

AO4822A and AO4822AL are electrically identical.

SOIC-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±20

8.5

T_A=25°C

T_A=70°C

I_D

6.6

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation

1.28

-55 to 150

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

62.5

110

R_θJA

Steady-State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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